근데 삼성의 3나노는 트랜지스터 집적도가 TSMC 것보다는 엄청 떨어진다고 알려져 있어서 그냥 나노 공정 싸움이라고 보기는 좀 힘들듯 합니다.
https://www.digitimes.com/news/a20210713VL201.html
기사에 포함된 도표를 보면 삼성의 3나노는 인텔/TSMC의 7나노 공정보다도 집적도가 떨어진다고..

디지타임스는 대만 매체인데다가, RTX 30 출시 초기때 물량 부족이 엔비디아가 삼성 파운드리에게 발주한 8nm 공정의 수율 문제 때문이라고 주장하는 등 여러번 친 TSMC 시각에서 삼성 상대로 언플을 해왔기에 객관적인 자료라고 평가하기에는 조금 부족하지 않나 싶습니다.

저도 대만 매체라서 약간 께름칙 했는데 그런 일이 있었군요.

정작 이거 3나노 까지 제대로 비교한 자료가 디지타임즈 말고는 잘 없더라구요.

https://semiwiki.com/semiconductor-manufacturers/samsung-foundry/…

7nm/5nm 관련 공개된 자료들로 정리 된 것으로 보면 저 도표의 앞부분 숫자들은 확실해보이긴 합니다.

삼성이 2nm 공정을 2025년 대량생산 목표라고 했으니, 더 지켜봐야 할 듯
https://anandtech.com/show/16995/…